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單光子計(jì)數(shù)器

簡要描述:上海屹持光電單光子計(jì)數(shù)器SPDSi是基于Si-APD的超靈敏光電探測器。探測波段覆蓋200 -1060 nm,可工作在線性模式和蓋革模式。蓋革模式下增益超過60 dB。SPDSi*的高性能主動(dòng)抑制電路,可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)的單光子探測,并且可加載任意寬度和周期的探測門。該電路實(shí)現(xiàn)了大于20 dB的雪崩抑制,從而將Si APD的性能發(fā)揮到Z佳狀態(tài)。在700 nm波段的探測效率超過60%,暗計(jì)數(shù)200-

  • 產(chǎn)品型號:SPDSi
  • 更新時(shí)間:2024-08-05
  • 訪  問  量:1209

產(chǎn)品簡介

品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,電子,制藥,電氣

詳細(xì)介紹

單光子計(jì)數(shù)器 SPDSi

上海屹持光電單光子計(jì)數(shù)器SPDSi是基于Si-APD的超靈敏光電探測器。探測波段覆蓋200 -1060 nm,可工作在線性模式和蓋革模式。蓋革模式下增益超過60 dB。SPDSi*的高性能主動(dòng)抑制電路,可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)的單光子探測,并且可加載任意寬度和周期的探測門。該電路實(shí)現(xiàn)了大于20 dB的雪崩抑制,從而將Si APD的性能發(fā)揮到*狀態(tài)。在700 nm波段的探測效率超過60%,暗計(jì)數(shù)200-2000 cps,死時(shí)間小于50 ns

SPDSi標(biāo)準(zhǔn)型號的有效光敏探測面積zui高可達(dá)500 um,單光子計(jì)數(shù)信號在模塊內(nèi)部轉(zhuǎn)化為數(shù)字TTL信號,并通過SMA接口送出。高度集成的模塊化設(shè)計(jì)便于OEM應(yīng)用和工業(yè)集成。

APD通過模塊內(nèi)部制冷工作在-20 ℃的低溫環(huán)境下,以獲得*的信噪比。制冷模塊由高效的TEC控制。控制精度可達(dá)±0.2 ℃。



技術(shù)特點(diǎn):

高探測效率:65%@700 nm         500 um光敏面積;

TTL數(shù)字信號輸出;                       低暗計(jì)數(shù);

低后脈沖;                                  低時(shí)間抖動(dòng);

應(yīng)用領(lǐng)域:

熒光測量;                                  激光測距;

量子通信;                                  光譜測量;                                        

光子關(guān)聯(lián);                                  自適應(yīng)光學(xué);



Fig1. 量子效率                                                                                   Fig2. Si單光子探測器

Fig3. Si單光子探測器結(jié)構(gòu)圖


產(chǎn)品參數(shù):

參數(shù)規(guī)格 參數(shù)

單位

供電電壓*1

22 -28

V

供電電流

0.5

A

光譜響應(yīng)范圍

200 ----1060

nm

探測效率

@200 nm

@700 nm

@850 nm

@1060 nm


2

65

45

3

%

暗計(jì)數(shù)

200 -2000

cps

死時(shí)間

50

ns

后脈沖

3 - 8

%

時(shí)間抖動(dòng)

300 - 500

ps

飽和計(jì)數(shù)率*2

10

Mcps

光敏面積

500

um

APD制冷溫度

-20

工作溫度

-15 - +50

輸出信號電平

LVTTL


輸出信號脈寬

530

ns

門脈沖輸入電平

Disable=LVTTL low

Enable=LVTTL high


0-0.4

2 -3.3

V

產(chǎn)品說明

1.         不正確的電壓可能損壞模塊,應(yīng)保證接入電源不高于28V,并可提供足夠電流。

2.         APD屬于高靈敏光電探測器件,在雪崩狀態(tài)下應(yīng)控制輸入光信號強(qiáng)度,過高的光強(qiáng)可能損壞APD,這種損害可能降低APD的探測靈敏度,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)斐啥O管擊穿。

3.         在特殊的應(yīng)用場景下,應(yīng)保證模塊的工作溫度不超過50 ℃,過高的溫度可能導(dǎo)致APD工作溫度上升,從而引起暗計(jì)數(shù)水平升高。

4.         SPDSi的默認(rèn)死時(shí)間為50ns。死時(shí)間設(shè)定會(huì)影響模塊的zui大計(jì)數(shù)率,當(dāng)死時(shí)間設(shè)定在50ns時(shí),zui大計(jì)數(shù)率為10Mcps,如您的應(yīng)用對死時(shí)間設(shè)定有特別要求,請?jiān)谟嗁彆r(shí)與我們。

5.         同樣,輸出信號的脈寬也會(huì)影響zui大計(jì)數(shù)率,典型脈寬為30 ns,如您的應(yīng)用對輸出信號有特別要求,請?jiān)谟嗁彆r(shí)與我們。

6.         SPDSi支持空間和光纖接口接入。

單光子探測器選型


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